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SiT2002B
SiT2002B
频率范围[MHz]:
115 - 137
工作温度范围:
-20 - +70, -40 - +85
频率稳定度:
±20, ±25, ±50
封装规格[mm]:
2.9x2.8x1.2
封装外形:
SOT23
工作电压 [Typ.]:
1.8, 2.5, 2.8, 3.0, 3.3, XX (2.5 - 3.3)
输出模式:
LVCMOS
材质:
Silicon MEMS
RoHS And 无铅:
资料下载:
Datasheet
商城购买:
产品详情
特点
从115到137兆赫的高频率
从±20ppm与±50ppm稳定性
1.8V或2.5V至3.3V电源电压
SOT23封装
低功耗
1.2μA典型的待机电流(1.8V)
3.6mA典型工作电流(1.8V)
产品应用
GPON
EPON
以太网
SATA和SAS
固态硬盘(SSD)
存储服务器
PCI
PCI-E
DDR
介绍
SiT2002B是业界第一个高频率,输出一个时钟发生器的嵌入式MEMS谐振器。该器件具有功耗低、稳定性好的不妥协的组合,灵活的电源电压和高频应用最短的交货时间。它在一个小的5引脚的SOT23 - 5封装能提供最好的板级焊点的可靠性,使成本低,光板级检测。
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