频率范围[MHz]: 115 - 137
工作温度范围: -20 - +70, -40 - +85
频率稳定度: ±20, ±25, ±50
封装规格[mm]: 2.9x2.8x1.2
封装外形: SOT23
工作电压 [Typ.]: 1.8, 2.5, 2.8, 3.0, 3.3, XX (2.5 - 3.3)
输出模式: LVCMOS
材质: Silicon MEMS
RoHS And 无铅:
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产品详情

特点

  • 从115到137兆赫的高频率
  • 从±20ppm与±50ppm稳定性
  • 1.8V或2.5V至3.3V电源电压
  • SOT23封装
  • 低功耗
  • 1.2μA典型的待机电流(1.8V)
  • 3.6mA典型工作电流(1.8V)

产品应用

  • GPON
  • EPON
  • 以太网
  • SATA和SAS
  • 固态硬盘(SSD)
  • 存储服务器
  • PCI
  • PCI-E
  • DDR

介绍

SiT2002B是业界第一个高频率,输出一个时钟发生器的嵌入式MEMS谐振器。该器件具有功耗低、稳定性好的不妥协的组合,灵活的电源电压和高频应用最短的交货时间。它在一个小的5引脚的SOT23 - 5封装能提供最好的板级焊点的可靠性,使成本低,光板级检测。

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