频率范围(MHz): 80.000001 - 220
工作温度(℃): -20 - +70, -40 - +85
频率稳定度(ppm): ±10, ±20, ±25, ±50
封装尺寸(mm): 2.5x2.0x0.75, 3.2x2.5x0.75, 5.0x3.2x0.75, 7.0x5.0x0.9
封装外形: SMD
工作电压(V): 1.8, 2.5, 2.8, 3.3
输出模式: LVCMOS/LVTTL
材质: Silicon MEMS
RoHS And 无铅:
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产品详情

特点

  • < 1ps集成RMS相位抖动(12千赫至20兆赫)
  • 良好的频率稳定性,低±10 ppm
  • 广泛的可编程性
  • 从80.000001到220MHz频率
  • 电源电压为1.8V,2.5V至3.3V
  • 频率稳定度从±10ppm到±50ppm
  • 可配置的驱动强度使用softedge技术

产品应用

  • 计算机服务器
  • 存储服务器
  • RAID控制器
  • 路由器
  • 交换机
  • 电信设备
  • SATA/ SAS
  • Fiberchannel以
  • SONET
  • 以太网络
  • 万兆以太网
  • DDR

介绍

SiT8209是一种高频率,超高性能振荡器,用于电信,网络,存储和无线。SiT8209提供低达600毫微微秒的相位抖动,在工规温度工作范围内提供10ppm的频率稳定性,高于传统同类石英振荡器产品两倍的效能。无论是以表面声波(SAW)或泛音形式开发生产的石英振荡器,均可直接替换,而无需任何设计变更。