晶体通常指的是石英晶体（Quartz Crystal），它具有稳定的谐振频率特性。晶体里面的晶片材料是由石英晶棒切割而来，主要分子材料是二氧化硅（SiO2）。“压电效应”是石英晶片所具有的物理特性，所谓的压电效应，是指该物质因弹性形变而使内部电子向表面移动，形成交变的电场，再由交变的电场而产生机械形变的反复过程。晶体在谐振时，就是压电效应的作用，在电路中，发生固有频率的谐振，起到稳定频率的作用。
石英晶体主要参数
标称频率[Nominal Frequency]
晶体振荡产生的周期性信号的频率，晶体的频率大小取决于晶片厚度和晶片尺寸，晶片越薄，振荡频率就越高，单位用KHz、MHz表示。
振荡模式[Oscillation Mode]
基频AT1、泛音AT3
封装[Holder Type]
晶体的尺寸大小,提供SMD1612/2016/2520/3225/5032/6035/7050等片式封装，插件分为HC-49S和假贴片HC-49SMD等。
常温频差[Frequency Tolerance]
在某一指定负载电容下的谐振频率，与标称频率在25℃±2℃的温度下的频率偏差,单位用ppm表示。
激励功率[Drive Level]
在电路稳定工作中提供给晶体的驱动功率值，单位用μW 表示。
负载电容[Load Capacitance]
相对于指定频率的负载电容值。同一晶体设置的负载电容不同测试的频率也不一样，在制作或使用时必须指定负载电容，单位通常用pF表示。
谐振电阻[Effective Resistance]
串联共振频率下的石英晶体的电阻值，单位用Ω表示。
静电容[Shunt Capacitance]
静态电容C0。对同一频率点来说其值大小与电极尺寸设计有关，成正比关系，单位用pF表示。
激励功率依赖性[Drive Level Dependency]
MaxR-MinR 在指定激励功率范围内，测得的最大电阻与最小电阻之间的差值，单位用Ω表示。
温度频差[Temperature Drift]
晶振在不同温度下谐振工作稳定的频率与25℃下的最大偏差值。这一特性是衡量晶振在温度变化时频率变化程度的指标，较低的频率温度稳定度意味着晶振在不同温度条件下更为稳定，对于一些对频率精确性要求较高的应用，如通信、导航、精密测量等，这是一个重要的性能指标。单位用ppm表示。
寄生响应[Spurious response]
在指定频率范围内，用12.5Ω测试座量测时,寄生振荡相较于主振点之间振幅差值。单位用bB表示。
工作温度范围[Operating temperature Range]
石英晶体在规定的公差内工作的温度范围。通常有-40℃～＋85℃、-40℃～＋105℃、-40℃～＋125℃。
存储温度范围[Storage Temperature Range]
晶振在未使用情况下储存的温度范围。通常在-55℃～＋125℃。
绝缘阻抗[Insulation Resistance]
晶体功能脚与金属外壳之间的电阻值。单位用Ω表示。
年老化率[Aging]
在所有其它条件都恒定不变的情况下，晶振的频率仍会随着时间推移而发生的漂移，这种长期漂移是由晶体元件和振荡电路的其它元器件缓慢变化造成的，即晶振随时间变化而引起的频率变化量。可用日老化(ppb/天)和年老化(ppm/年)表示。
